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ST推出150MHz+高速抗辐射加固逻辑器件

【导读】意法半导体推出高速抗辐射逻辑产品系列的两个首发产品,让航天电子数字电路工作频率达到150MHz以上。QML-V标准认证的RHFOSC04(SMD[1] 5962F20207)晶振驱动器/分频器芯片和RHFAHC00(SMD 5962F18202)四路NAND门逻辑芯片的门工作速度是典型抗辐射加固逻辑芯片的两倍以上,保证高频电路响应速度更快。

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意法半导体推出高速抗辐射逻辑产品系列的两个首发产品,让航天电子数字电路工作频率达到150MHz以上。QML-V标准认证的RHFOSC04(SMD[1] 5962F20207)晶振驱动器/分频器芯片和RHFAHC00(SMD 5962F18202)四路NAND门逻辑芯片的门工作速度是典型抗辐射加固逻辑芯片的两倍以上,保证高频电路响应速度更快。

采用意法半导体专有的经过整个航天工业检验的130nm CMOS技术设计,新器件兼备高工作速度、低工作电流和业内一流的高达 300 krad (Si) TID[2]的RHA(抗辐射加固保证)级别的抗辐射能力,在125 MeV.cm2/mg下无SEL 和 SET[3]现象发生。其1.8V至3.6V的电源电压有助于满足典型卫星和太空飞行器机载设备对功耗和能耗的严格限制。

RHFOSC04兼有多个分立逻辑器件的作用,可直接驱动晶体振荡器,简化时钟电路设计并提高电路稳定性,同时节省电路板空间,并提高系统可靠性。分频器提供标称频率、2分频、4分频和8分频输出,增加了时钟分频的灵活性。

新器件交付方式有裸片和封装芯片两种,裸片可以直接集成在客户应用设计的系统级封装(SiP)内,封装芯片采用陶瓷密封Flat 14 (RHFAHC00)和Flat 10 (RHFOSC04)。

[1] SMD: 由QML-V认证机构签发的标准微电路图号,通常是航天工业中使用的默认组件编号。

[2]TID: 电离辐射总剂量

[3]在125 MeV.cm2/mg下无SEL 和 SET 现象发生: 量化器件对重离子引起的单粒子效应闩锁和单粒子效应瞬态失效的耐抗能力

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