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采用NV6115/17 GaN氮化镓基于ACF(有源钳位反激)架构的PD应用

设计GaN氮化镓 PD充电器产品,首先需要评估产品空间,根据空间大小,计算空间内功率密度。

从目前市面上的GaN充电器电路架构综合分为:ACF 和QR;部分客户只是考虑电路成本,选择QR架构是比ACF便宜不少,而忽略了产品结构空间,功率密度带来的发热问题。如小米的65W GaN充电器采用了ACF架构,倍思是采用了QR架构。

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ACF架构比QR架构整体效率高 1-2个点。不要小看这个1-2个点的效率。在空间结构中转换成热量,QR架构分分钟跑到100 度去了;

本文推荐 采用NV6115/17基于有源箝位反激(ACF)设计USB-PD 充电器产品;NV6115和NV6117分别为650V 160 mΩ和110 mΩ eMode GaN功率集成电路,带有iDriveTM集成驱动级,每只需要一个低电流数字输入。

该应用电路尺寸(51 x 43 x 20.5毫米外壳)和突破性的功率密度(1.5 W/CM3)。

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AC 85-265V 输入,开关频率可在140-490 kHz范围内调节。该设计完全符合欧洲CoC Tier 2和美国DoE六级效率标准,此外在满负荷时达到超过94%的峰值效率。

该文档内包含ACF架构电路简介,电路应用图,PCB参考布局,BOM,测试数据和波形 及 EMI测试曲线。

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